Se depositaron películas delgadas de Nitruro de Carbono sobre un substrato de silicio a una temperatura
de 300 °C, usando la técnica de Ablación Láser, con fluencias del láser de 2 y 10 J/cm2 y la
presión del gas de trabajo varió entre 1 y 50 mTorr. La influencia de la presión del gas de trabajo
sobre la composición y estructura de enlace de las películas se estudió sistemáticamente. Las películas
fueron caracterizadas con Espectroscopia Raman y Espectroscopia Fotoelectrónica de rayos-
X (XPS). El análisis con XPS revela una fuerte dependencia de la cantidad de nitrógeno estructuralmente
incorporado con la presión del gas de nitrógeno. El pico N 1s muestra el arreglo típico de
doble componte indicando que el nitrógeno enlazado dentro de la estructura grafitica domina sobre
la configuración tipo piridina. Los espectros Raman muestran que la razón de intensidades de los
picos D y G se incrementa con la presión de gas. Esto favorece el crecimiento de las estructuras
grafenas corrugadas que pueden ser consideradas como microestructuras “tipo fulerenos”. Estos
resultados fueron analizados en combinación con la emisión óptica de la pluma del plasma producido
por el láser. |
